12 июня 1918 — Родился Курт Леговец

Курт Леговец — американский физик и инженер, имя которого известно
гораздо меньше, чем имена других авторов интегральных схем Джека Килби
или Роберта Нойса. Тем не менее именно его работа помогла сделать
интегральные схемы практичными.

В конце 1950-х годов инженеры уже умели создавать отдельные транзисторы
на одном кристалле кремния, но оставалась серьёзная проблема: как
изолировать их друг от друга. Если разместить несколько транзисторов
рядом, электрический ток мог протекать между ними там, где этого не
хотелось. Разработчики кристаллов рассматривали разные варианты создания
такой изоляции, в том числе и механическая изоляция.

В 1959 году Леговец предложил использовать для изоляции p-n переходы.
Идея была простой и элегантной: вокруг каждого транзистора создавать
область с противоположным типом проводимости. При обратном смещении
такой p-n переход работал как изолятор и не позволял току свободно течь
между соседними элементами. Эта технология позволила сделать изоляцию
максимально простой и нетребовательной к реализации — она занимала мало
места на кристалле по сравнению с аналогами, технология её создания
похожа на технологию создания транзисторов.

В том же 1959 году Леговец получил патент США № 3,029,366 под названием
Semiconductor Device-And-Lead Structure. Его часто называют одним из
важнейших патентов в истории микроэлектроники.

Хотя в популярной истории изобретателями интегральной схемы обычно
называют Джека Килби и Роберта Нойса, многие историки считают вклад
Леговеца третьим важнейшим элементом этой технологии. Килби показал, что
несколько компонентов можно разместить на одном кристалле, Нойс
предложил планарный способ производства, а Леговец решил проблему их
электрической изоляции.

Сегодня практически каждый процессор, микроконтроллер и чип памяти
является далёким потомком этих идей конца 1950-х годов. Без работы Курта
Леговеца развитие микроэлектроники могло бы пойти значительно медленнее.